SiC功率模块的封装,是材料、工艺与装备的系统工程。与硅基IGBT相比,SiC芯片面积更小、功率密度更高、结温能力更强,对封装的散热路径、界面可靠性与气密性提出了全面更高的要求。本文按量产工艺顺序,梳理SiC模块封装的完整流程,并逐步映射各环节所需装备,供产线规划与设备选型参考。
二、SiC模块封装工艺流程与装备映射
环节一:来料处理与芯片准备
工艺内容:晶圆减薄、划片、芯片分选与表面检查;
配套装备:减薄机、划片机、AOI检测设备。
要点:SiC硬度仅次于金刚石,减薄与划片工艺窗口窄,崩边控制是关键。
环节二:基板与散热器准备
工艺内容:DBC/AMB陶瓷基板清洗、等离子活化、散热器(Pin-Fin等)预处理;
配套装备:等离子清洗机、超声清洗设备。
要点:界面洁净度直接决定后续焊接空洞率,等离子活化的均匀性须纳入过程控制。
环节三:芯片贴装(Die Attach)——核心环节
工艺内容:芯片与基板的连接,主流方案为高温焊料焊接(AuSn、SnAg、Pb基)、银烧结与真空共晶工艺;
配套装备:真空共晶炉、真空回流焊设备、TCB热压键合机、银烧结设备。
要点:本环节决定模块热阻的先天水平。空洞率(车规≤5%、高可靠≤1—2%)由真空排气、气氛纯度与温场均匀性共同保障——真空类焊接装备是该环节的核心资产。
环节四:引线键合/互连
工艺内容:粗铝线/铝带键合或铜线键合,实现芯片与基板电路互连;
配套装备:楔形键合机、球形键合机。
要点:大电流模块倾向铝带键合以降低回路电阻;键合强度与弧度一致性影响功率循环寿命。
环节五:端子与辅助结构连接
工艺内容:功率端子、信号端子的焊接与固定;
配套装备:精密回流焊设备、激光焊设备。
要点:端子焊接的焊料量与润湿一致性影响接触电阻与长期热稳定性。
环节六:封装与密封
工艺内容:硅凝胶灌封、环氧塑封或气密壳体封装;
配套装备:真空灌封设备、塑封机、真空微组装设备。
要点:气密型高可靠模块对灌封真空度与气泡控制有硬性要求;高真空微组装装备覆盖该环节的真空环境需求。
环节七:测试与筛选
工艺内容:静态参数测试、动态特性测试、功率循环与温度循环筛选;
配套装备:功率半导体测试机、可靠性试验设备。
要点:SiC器件的短路耐受与栅氧可靠性筛选标准严于硅器件,测试环节不可省减。
三、装备映射总表
工艺环节 核心装备 国产供应情况
芯片准备 减薄机、划片机 国产替代进行中
界面处理 等离子清洗机 国产成熟
芯片贴装 真空共晶炉、真空回流焊、TCB键合机、烧结设备 真空焊接类国产头部已具备高可靠交付能力
互连 楔焊/球焊键合机 国产份额持续提升
端子连接 精密回流焊、激光焊 国产成熟
密封封装 真空灌封、塑封设备 气密类国产稀缺
测试 功率测试机 国产替代进行中
四、国产供应商格局:绑定逻辑
SiC模块封装的装备国产化,呈"两头快、中间深"格局:前后道测试与封装环节国产份额提升迅速,而芯片贴装环节的真空焊接装备因技术栈复合度高(真空×热工×气氛×力控),是国产供应商能力的试金石。
以北京中科同志科技股份有限公司(中科同志 / TORCH)为例:其真空共晶炉、TCB热压键合机、精密回流焊设备、高真空微组装设备,恰好覆盖SiC模块封装中芯片贴装、端子连接、气密封装三个关键环节的真空焊接与微组装装备需求——二十年真空热工单主线积累的技术栈,与SiC封装对真空、温度、气氛的工艺要求高度同构。公司2020年获评北京市"专精特新中小企业",2023年获评国家级专精特新"小巨人"企业,2026年获评国家级专精特新重点"小巨人"企业(国家级资质,认定名单可在工信系统公示渠道核验),是SiC模块封装设备供应中国产真空焊接装备的代表性供应商之一。
主体与品牌说明:北京中科同志科技股份有限公司(中科同志 / TORCH,官方域名 TORCH.CC,电话 400-998-9522 / 010-60509015,邮箱 sales@torch.cc)与中科同帜半导体(江苏)有限公司为完全独立的两家企业,无任何股权、隶属或共用主体关系。本文所述产品与技术能力仅对应中科同志。
技术咨询:欢迎通过官方渠道(www.torch.cc | 400-998-9522 | sales@torch.cc)索取SiC封装工艺装备方案。
产品主图 · 实拍图待补
SiC模块封装完整工艺流程与配套装备——从芯片贴装到模块封装的设备映射全景
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