需求冲高供给不足 第四季NAND缺口恐更显著

　　受惠于智能型手机需求强劲，及供给端2D-NAND转进3D-NAND所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。进入第四季，各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收与营业利益率也可望再创今年新高。 

 

　　根据市调单位集邦的数据，第三季全球NAND厂商排名，依序为三星、东芝、威腾电子、SK海力士、美光、与英特尔，厂商第三季市占率为36.6%、19.8%、17.1%、10.4%、9.8%，以及6.3%。 

 

　　首先就三星部分，由于第三季中国智能型手机品牌对于高容量eMMC／UFS的需求强劲，让三星成为最大赢家。三星在高容量的eMMC／UFS与eMCP市占率领先同业，企业级SSD产品更藉出色的性价比出货强劲。第三季三星NAND Flash位出货量季成长约20%，营收季成长约20%。 

 

　　展望第四季，智能型手机的需求将带动高容量eMMC／UFS与eMCP的需求攀升至年度高点，再加上三星在用户级、企业级SSD的市占率增加，预估第四季三星的营运表现将较第三季更出色。 

 

　　东芝方面，同样受惠于整体NAND Flash市况好转，东芝电子在其会计年度2016年第二季(7～9月)位出货量季增15%，平均销售单价跌幅减缓，整体营收季增约17%，营业利益率也呈现季成长，营运表现渐入佳境。 

 

　　产能规划部分，东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3D-NAND Flash，第四季产能达每月4万片，待2017年64层堆栈的3D-NAND Flash顺利量产后，产能提升速度将更快，而其第六半导体厂房新建计划，将从明年2月开始动工。 

 

　　至于威腾电子；从威腾电子2017会计年度第一季相关NAND Flash的表现来看，其64层堆栈的3D-NAND Flash是投资焦点。目前64层堆栈的3D-NAND Flash产品正处OEM客户测试阶段，预计今年12月起率先使用在卡片及随身碟等产品上，而其48层堆栈的产品已在eMMC／eMCP等行动式NAND及外插式产品在线量产。 

 

　　现阶段15奈米2D-NAND Flash仍为威腾电子主流制程，良率及成本效益都已达优化，因此对利润提升有很大帮助，2017年威腾电子的NAND Flash位产出成长率预期将达45%。 

 

　　就SK海力士部分，同样受惠中国智能型手机的eMMC／eMCP需求，及其他品牌新机上市的备货需求带动，使得第三季SK海力士NAND Flash位出货量季增12%，平均销售单价更季成长7%，营收亦大幅季增20.3%，至10.61亿美元。 

 

　　SK海力士3D-NAND Flash的产能在今年底前将达每月2～3万片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可开始放量出货，第四代的3D-NAND Flash有机会在明年下半开始少量生产。 

 

　　至于美光方面，美光2016会计年度第四季(6～8月)位出货量季成长13%，平均销售单价下滑1%，非挥发性内存(Non-Volatile)营收季成长约10%，至10亿美元，在产品营收比重上，Component base略微下降至50%、行动式NAND产品微幅上升至18%、SSD则占13%，车用及其他类别占约19%。 

 

　　美光3D-NAND Flash架构的行动式NAND在客户端得到不错评价外，用户级SSD也已开始量产出货，而企业级SSD位出货量更大幅季成长逾45%。此外，等到美光3D-NAND Flash(TLC)版本成为主流后，将可改善美光SSD的成本架构。 

 

　　最后是英特尔；第三季英特尔NAND Flash位出货量大幅季增25%以上，营收也季成长17%，至6.49亿美元，结束连续三个季度的衰退。 

 

　　从产品规划来看，虽然英特尔16奈米与20奈米依旧为产品组合大宗，但自第三季起其3D-NAND Flash的企业级固态硬盘已顺利出货放量，性价比已较上个世代产品更具竞争力。在产能规划上，英特尔大连厂第四季产能约为每月1万片，至明年开始将逐季提升。 

 

　　来源：财讯快报