倒装芯片的制备工艺

倒装芯片与正装芯片的制备工艺主要差异如下:

①倒装芯片需要制备高反射层,通常采用Ag,Al,DBR等材料做反射层。

②倒装芯片采用了双层布线结构,第二层JM20329-LGCA5D金属为P、N大面积多层加厚金属Bonding电极,简单来讲芯片正面只可以看到两大块分割开的P、N Bonding电极。

③两层金属之间的绝缘介质层包裹性要好,同时第一层金属到第二层金属,以及少⒍Ⅸ到n~GaN均采用了通孔(Ⅵa)芾刂程。

下面以Ag反射层为例,介绍倒装芯片的制备工艺,工艺流程如图⒋33所示。

图⒋33 倒装芯片制备流程

以上工艺流程中重点需注意,Ag的反射率很高,同时也是很活泼的金属,需要制备保护层将其包裹住。制备工艺中通过真空镀膜机台、溅射镀膜机台、PECVD机台等设备制备多种膜层,通过光刻工艺制程、湿法刻蚀、干法刻蚀,以及Lift-off工艺实现图形转移,这与正装LED芯片制作过程很接近。