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					【备  注】: 
				
					TG2U型光刻机主要技术参数见下表: 
				
					
						
							
								 
								项目 | 
							
								 
									参数 
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									适用的掩模尺寸 
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									a.100X100X2-3mm;b.75X75X2—3mm;c.63X63X2—3(选购); 
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									适用的硅片尺寸 
							 | 
							
								 
									φ35—75mm 
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									光刻图形线条 
							 | 
							
								 
									3-4μm, 最细可达2μm 
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									掩模与硅片之间的相对位移范围 
							 | 
							
								 
									X/Y±2.5mm,(族转) ±6° 
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									承片台(硅片)绕主轴旋转 
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									粗调360度,可微调 
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									承片工作台综合移动范围 
							 | 
							
								 
									X,Y合成φ75mm 
							 | 
						 
						
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									承片台的球座平面至掩模板面升降 
							 | 
							
								 
									0—7.5mm 
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									曝光灯源 
							 | 
							
								 
									GCQ200W超高压汞灯,曝光波长,300―436nm 
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									曝光系统能量不低于 
							 | 
							
								 
									7mw 
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									曝光系统的照度均匀度在φ75mm范围内 
							 | 
							
								 
									±5% 
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									显微镜的照明波长 
							 | 
							
								 
									≈545nm 
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									曝光时间控制范围 
							 | 
							
								 
									0.1秒—99分 
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									双目显微镜的放大倍数 
							 | 
							
								 
									a.目镜共二种:10X,16X;b.平视场物镜共三种:6X,9X,15X;c.合成放大倍率:60X—240X; 
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									真空接触压力 
							 | 
							
								 
									≥0.7kgf 
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									装箱尺寸 
							 | 
							
								 
									1000X850X980mm(2只) 
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									装箱重量 
							 | 
							
								 
									200kg 
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