【简介特点】
1、焊接温度:V4真空共晶炉实际焊接最高温度≤450℃。
2、极限真空度:≤5x10-4 Pa。
3、温度均匀性:400mm x 300mm,士2℃ ;200 mm × 200 mm,±3℃。
4、加热方式:采用底部红外辐射加热+顶部红外辐射加热,热板采用半导体级石墨镀碳化硅平台.石墨镀碳化硅平台长期使用不易变形,而且具有很高导热性,使热板表面温度更加均匀。
5、设备配备了CCD视觉可视系统,视野≥400mm×300mm,像素≥800w。可清晰捕获样品可视焊膏融化形态以及虚焊、桥接、偏移等缺陷类型。
6、监视窗口:视觉监控窗口:≥1个。
7、配置真空干泵抽速≥36m3/h。
8、满足各种焊料(≤450℃)的焊接要求。例如: In97Ag3、In52Sn48、Au80Sn20、SAC305、Sn90Sb10、Sn63Pb37、Sn62Pb36Ag2等预成型焊片(可无助焊剂共晶焊接)和各种成份的焊膏。
9、焊接空洞率:V4真空烧结炉在软钎焊料焊接时,经过大量客户验证,空洞率可控制在3%以下。
10、可选正压模块:设备可以选配正压模块≤0.2Mpa,可满足正压、负压工艺要求。正压工艺可有效解决微小器件在焊接过程中移位问题(MiniLED、MicroLED等)、解决焊膏工艺助焊剂飞溅问题(引线框架类产品。
11、控温系统及测温系统V4真空烧结炉采用先进的控温技术,控温精度在±1℃。V4真空烧结炉温度曲线可设定最多40段温度,并配置3组PID(6组可选)设定,更精准控制温度,保证焊接一致性及可靠性。温度控制属于滞后控,而PID控制是具有超前调节的作用,可提高控温精度以及稳定性。V4真空烧结炉腔体内标配6路测温热电偶,设备工作时可实时反馈腔体内任意位置的温度,并在控制软件中实时显示测温的温度曲线,更好的保证焊接区域的温度控制,为取得良好的工艺曲线提供支持。
12、腔体气氛环境V4真空烧结炉可充入氮气惰性气体辅助焊接,同时满足甲酸、氮氢混合气体(5%氢气95%氮气)还原气氛工艺。工艺气氛可由时间或者由MFC质量流量计精准控制,保证每次设定工艺完成的一致性。满足无助焊剂情况下焊接。
13、V4真空共晶炉配置软件控制系统:软件控制系统基于Windows操作系统,操作简单。可通过温度、时间、压力、真空等工艺条件进行工艺编程,软件工艺自动控制整个工艺过程。工艺曲线编程的工艺动作无限多个,满足复杂工艺要求。设备主界面实时显示焊接过程温度、HCOOH、氮气等气体状况及真空度,同步生成实时曲线并自动保存,全面直观呈现焊接关键参数与状态,确保过程可监控可追溯。软件控制系统可自动实时记录焊接工艺及控温、测温曲线,按工作时间存对应目录,保障工艺可追溯性;同时支持升降温可编程控制,能依工艺设置自动生成曲线,且可编辑、修改、存储。
14、V4真空共晶炉采用全自动闭合式腔体结构,保证长期使用的可靠性,使用过程中上盖自动关闭时不会造成器件移位,避免器件震动影响焊接质量。单腔室工艺同时满足加热和冷却的要求。
15、V4真空共晶炉,上盖带有视窗,可通过显微镜观察器件烧结过程。上盖自动升降,除手工取放件外,其它操作软件自动控制完成。
16、V4为石墨镀碳化硅加热平台。
17、V4冷却方式采用中科同志第五代冷水技术,加热时水冷不影响热场的温度均匀度,冷却时每个加热板有六组独立的水冷装置,冷却时温度均匀度更高。特别适合金锡共晶、铟焊料共晶的高质量封装焊接。
【标配】
1、主机一台
2、工业级控制电脑一台
3、真空烧结炉控制软件系统一套
4、氮气气氛系统、甲酸气氛系统
5、MFC质量流量计一台
6、石墨镀碳化硅加热平台
【选配】
1. 真空泵(机械干泵)
2. 分子泵系统
3.氮氢数字化混合气氛系统
4.正压模块
5.CCD视觉/显微镜
6.氮氢混合气气氛
【技术参数】
型号 | V4 |
焊接面积 | 400mm*310mm |
炉膛高度 | 100mm(其它高度可选) |
温度范围 | 最高可达450℃ |
极限真空 | ≤5x10-4Pa |
升温速率 | 最高2℃/s |
降温速率 | 最高2℃/s |
数据接口 | 串口/USB口 |
设备控制方式 | 工控机+软件控制系统(中科同志自主软件) |
焊接工艺 | 40段温度控制+真空压力控制 |
冷却方式 | 水冷(含冷热交换器、冷水机) |
额定功率 | 30KW |
电压 | 三项五线 380V ; 25-50A |
外形尺寸 | 2500mm*2000mm*2000 mm |
重量 | 320KG |